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低壓MOS管SL607B

類型:N溝道

漏源電壓(Vdss):30V

連續漏極電流(Id):12A

功率(Pd):15W

導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5.6A

閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.2V@250μA

產品詳情

產品名稱:低壓MOS管SL607B


產品描述:

低壓MOS管SL607B是一款N溝道MOSFET,具有30V的漏源電壓、12A的連續漏極電流、15W的功率以及30mΩ@10V,5.6A的導通電阻。它采用SOT-23封裝,適用于多種低壓開關應用。


主要特性:

- N溝道MOSFET

- 漏源電壓(Vdss):30V

- 連續漏極電流(Id):12A

- 功率(Pd):15W

- 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5.6A

- 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.2V@250μA

- 封裝:SOT-23


應用領域:

低壓MOS管SL607B可廣泛應用于低壓開關電路中,例如:

- 電源開關

- 直流-直流轉換器

- 汽車電子

- 消費電子


電氣特性(Ta=25℃):

- 漏源電壓(Vdss):30V

- 門源電壓(Vgs):±20V

- 連續漏極電流(Id):12A

- 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5.6A

- 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.2V@250μA

- 靜態參數:

  - 輸入電容(Ciss):630pF

  - 輸出電容(Coss):200pF

  - 反向傳輸電容(Crss):120pF

- 封裝:SOT-23


注意事項:

- 請勿讓器件超過[敏感詞]額定值,否則可能會損壞器件。

- 請遵循正確的電路設計和操作規范。

- 器件在操作和存儲時應避免超出溫度和濕度限制。

- 請在靜電敏感設備(ESD)安全環境中操作器件,以避免靜電放電可能對器件造成的損害。

SL607B TO-252-4L_0.jpg


服務熱線

0755-83044319

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TVS/ESD咨詢

獲取產品資料

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