SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，具有以下區(qū)別：

驅(qū)動(dòng)電壓

由于SiC-MOSFET的漂移層電阻低、通道電阻高的特性，其驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高時(shí)，導(dǎo)通電阻越低。SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻從Vgs約為20V開始變化（下降）并逐漸減小，接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V左右驅(qū)動(dòng)，以充分獲得低導(dǎo)通電阻。換句話說(shuō)，兩者之間的區(qū)別之一是SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓要比Si-MOSFET高。因此，在替換Si-MOSFET時(shí)，需要考慮柵極驅(qū)動(dòng)器電路的調(diào)整。

內(nèi)部柵極電阻

SiC-MOSFET的內(nèi)部柵極電阻Rg取決于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸。如果設(shè)計(jì)相同，則Rg與芯片尺寸成反比，芯片越小，柵極電阻越高。在相同性能條件下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si-MOSFET小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻較大。不僅SiC-MOSFET受到影響，MOSFET的開關(guān)時(shí)間也取決于外部和內(nèi)部柵極電阻的綜合值。SiC-MOSFET的內(nèi)部柵極電阻比Si-MOSFET大，因此要實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)，需要盡量減小外部柵極電阻，通常在幾Ω左右。

然而，外部柵極電阻還需要應(yīng)對(duì)施加在柵極上的浪涌，因此需要在浪涌保護(hù)和高速開關(guān)之間取得良好的平衡。