BCD指的是Bipolar-CMOS-DMOS，其中的Bipolar是用于高精度處理模擬信號的雙極晶體管，CMOS是用于設計數字控制電路的互補金屬氧化物半導體，DMOS是用于開發電源和高壓開關器件的雙擴散金屬氧化物半導體。

幾納米跟BCD工藝的幾納米完全同維度

幾納米跟BCD工藝的幾納米完全是兩個維度和不的事物，沒有任何可比性。

當下，BCD工藝的主要發展方向有三種，分別是：

1、高壓BCD方向

電壓范圍是500-700瓦，利用輕摻雜的外延層制作器件，使表面電場分布更加平坦從而改善表面擊穿的特性，使擊穿發生在體內而非表面,從而提高器件的擊穿電壓，可用于電子照明和工業應用的功率控制。

2、高功率BCD方向

電壓范圍是40-90V，主要的應用為汽車電子。它的需求特點是大電流驅動能力、中等電壓，而控制電路往往比較簡單。

3、高密度BCD方向

主要電壓范圍是5-50瓦，主要用于汽車電子應用。

從1985年BCD推出工藝，至今已經過去35年并經歷了九次技術迭代，產出500萬片晶圓，售出400億顆芯片，僅2020年就售出近30億顆芯片，第十代BCD技術即將開始投產。

那么經過30多年的發展，意法半導體不斷升級BCD工藝，從[敏感詞]代的4微米發展到了第九代的0.11微米以及第十代的90納米。

經過35年的發展，意法半導體開發了一系列對全球功率IC影響深遠的BCD工藝，如BCD3（1.2微米）、BCD4（0.8微米）、BCD5（0.6微米）。

意法半導體目前提供三種主要的BCD技術，包括BCD6（0.35微米）/BCD6s（0.32微米）、BCD8（0.18微米）/BCD8s（0.16微米和BCD9（0.13微米）/BCD9s（0.11微米），其第十代BCD工藝將采用90納米。

BCD6和BCD8還提供SOI工藝選項。

在BCD工藝方面，我國各晶圓制造公司BCD工藝發展情況，其中在去年6月份，晶圓大廠華虹半導體就宣布，其 90nm BCD工藝在華虹無錫12英寸生產線已實現規模量產。

華虹半導體

華虹半導體基于成熟的CMOS工藝平臺，目前提供的BCD工藝平臺電壓涵蓋1.8V到700V，工藝節點涵蓋90納米/0.13微米/0.18微米/0.35微米/0.5微米/0.8微米/1.0微米，在0.5微米、0.35微米、0.18微米節點上積累了豐富的量產經驗。未來，華虹半導體將繼續發揮在BCD和eNVM特色工藝上的技術優勢，提供二者的集成方案，為智能化電源產品，打造高端電源管理系統級芯片(SoC)

華潤微

華潤微基于自有的主流工藝平臺，在功率模擬工藝技術方面推出的BCD工藝解決方案，廣泛應用于各新興市場，包括電源管理、LED驅動、汽車電子以及音頻電路等。

華潤微的BCD工藝平臺始于2007年推出的700V CDMOS工藝，2011年推出700V HV BCD工藝，2013年完成600V HVIC工藝平臺研發，到2020年一共完成了五代硅基700V HV BCD工藝的研發和量產。華潤微BCD工藝平臺電壓涵蓋5V到700V，工藝節點涵蓋0.18微米/0.25微米/0.8微米/1.0微米，可滿足高電壓、高精度、高密度不同應用的全方位需求，同步提供200-600V SOI基BCD工藝選項。

士蘭微

在BCD工藝技術平臺研發方面，士蘭微依托于5/6英寸、8英寸和12英寸晶圓生產線，建立了新產品和新工藝技術研發團隊。

基于士蘭集成的5/6英寸生產線開發0.8微米和0.6微米的BCD電路工藝平臺已經穩定運行15年，2007年1月士蘭微發布[敏感詞]采用士蘭集成BCD工藝制造的高效率功率LED驅動電路。

基于士蘭集昕8英寸生產線的0.25微米的BCD電路工藝平臺和0.18微米的BCD電路工藝平臺相繼建成，開始批量產出。

基于士蘭集科12英寸生產線BCD電路工藝平臺也在研制中。

中芯國際

中芯國際有超過10年的模擬芯片/電源管理芯片大規模生產經驗，技術涵蓋了0.35微米到0.15微米。除了保持面向手機和消費類電子的低壓BCD工藝平臺持續升級外，針對工業和汽車應用的中高壓BCD平臺和車載BCD平臺也在開發中，同時開展了90納米BCD工藝平臺開發，為高數字密度和低導通電阻的電源管理芯片提供解決方案。

最近的中芯國際55nmBCD工藝的消息，來自近日中芯國際發布的2022半年報，其中提到，55納米BCD工藝（高壓顯示驅動平臺）已經完成平臺開發，并導入客戶，實現批量生產。

BCD工藝的主要應用在電源管理、顯示驅動、汽車電子、工業控制等領域。近年來，全球智能化的發展速度越來越快，在顯示驅動和電源管理兩大市場驅動下，BCD工藝備受關注，有越來越多的公司進入該領域，進行相關工藝和產品的開發。所以，BCD工藝作為一種先進的單片集成工藝技術，具有廣闊的市場前景。

通過國人的努力早日先把車規級芯片市場份額牢牢把控在自己手里，BCD工藝突破55納米已經領先國際先進制造了，再技術繼續保持領先性。





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