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激光二極管特點及用途-薩科微半導體
2024-11-19
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激光二極管充分利用直進性、微小光斑尺寸 (數um～)、單色性、高光密度、相干性 (coherent) 這些特點，被用在各種應用上面。
晶體管的主要功能-薩科微半導體
2024-07-04
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晶體管的主要功能是放大和開關電信號。它在現代電子設備中起著至關重要的作用，例如在收音機中，晶體管能夠放大從空中傳輸過來的微弱信號，然后通過揚聲器播放出來，這就是晶體管的放大功能。
柵極-源極電壓產生的浪涌
2024-05-11
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柵極-源極電壓產生的浪涌是指在功率半導體器件（如MOSFET和IGBT）工作時，由于電壓和電流的變化導致柵極和源極之間出現的意外、瞬時的電壓波動現象。這種現象通常會在開關操作時出現，特別是在高速開關過程中更為顯著。
LS MOSFET低邊開關關斷時的柵極 – 源極間電壓的動作
2024-05-10
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LS MOSFET關斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。與導通時的做法一樣，為各事件進行了。與導通時相比，只是VDS和ID變化的順序發生了改變，其他基本動作是一樣的。與導通時的事件之間的對應關系：
SiC MOSFET低邊開關導通時的Gate-Source間電壓的動作
2024-05-09
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當SiC MOSFET的LS導通時，首先ID會發生變化。在這個過程中，LS的ID沿增加方向流動，而HS的ID沿減少方向流動，受到等效電路圖中表示的事件影響，產生了電動勢。這個電動勢會導致電流流向源極側對CGS進行充電，在LS處將VGS向下推，在HS處將VGS向負極側拉，產生負浪涌。
當SiC MOSFET橋式電路開關時產生的電流和電壓是怎樣的？
2024-05-01
979
dVDS/dt和dID/dt既可以為正也可以為負，因此它們產生的電流和電壓在導通（Turn-on）和關斷（Turn-off）時的極性是不同的。
SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動電路
2024-04-30
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LS（低側）側SiC MOSFET在Turn-on和Turn-off時的VDS和ID變化方式不同。在討論SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓（VGS）的影響時，需要考慮包括SiC MOSFET的柵極驅動電路在內的等效電路。
SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，區別在哪？
2024-04-25
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SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，具有以下區別： 驅動電壓 由于SiC-MOSFET的漂移層電阻低、通道電阻高的特性，其驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高時，導通電阻越低。SiC-MOSFET的導通電阻從Vgs約為20V開始變化（下降）并逐漸減小，接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅動電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V左右驅動，以充分獲得低導通電阻。換句話說，兩者之間的區別之一是SiC-MOSFET的驅動電壓要比S
SiC-SBD的特征是什么與Si二極管相比有什么不同
2024-04-14
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SiC肖特基勢壘二極管為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。這種結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征是具備高速特性。
碳化硅（SiC）是什么？
2024-04-11
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SiC是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導體材料。它具有強大的結合性質，在熱、化學和機械方面非常穩定。SiC存在各種多型體，每種多型體的物理特性都不同。其中，4H-SiC多型體最適合功率器件。
對穩壓二極管如何進行識別判斷？
2023-04-10
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穩壓二極管根據擊穿電壓來分檔，也正是它的這種特性，穩壓管主要被作為穩壓器或電壓基準元件使用。然而穩壓二極管也是有所區分的，對穩壓二極管如何進行識別判斷？
肖特基勢壘二極管相關的物理機制可根據哪些特性參量考量
2023-03-30
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肖特基勢壘二極管相關的物理機制可根據哪些特性參量考量，肖特基勢壘二極管的電學特性優劣的主要參數有正向導通電壓、反向漏電流密度及擊穿電壓。
薩科微肖特基勢壘二極管基本結構
2023-03-29
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薩科微Slkor肖特基二極管在風力發電、電源設備、充電樁等多個領域都有著廣泛應用，由于肖特基二極管的結構特點，在這些領域都能起到不錯的作用，接下來我們一起了解一下肖特基二極管的結構是怎樣的。
肖特基二極管都有哪些有點和不足？
2023-03-17
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肖特基二極管是一種熱載流子二極管，在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流，IC及TTL集成電路中也有廣泛應用。肖特基二極管（SBD）表現出來的優勢還是比較突出的，自然它也有它的不足之處。
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