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聚焦中大功率,加速充電生態(tài)布局,鎵未來發(fā)布650V 70mohm氮化鎵產(chǎn)品

發(fā)布時間:2023-01-11作者來源:薩科微瀏覽:2536

國產(chǎn)大功率氮化鎵器件領(lǐng)導(dǎo)者珠海鎵未來科技近日發(fā)布了其[敏感詞]的70mohm氮化鎵產(chǎn)品,將其氮化鎵快速充電參考設(shè)計擴(kuò)充到了千瓦級別


氮化鎵技術(shù)將手機(jī)快充帶入了200W時代,充電5分鐘游戲兩小時變?yōu)榱爽F(xiàn)實(shí)。有更多的用戶希望把快速充電的技術(shù)推廣到筆記本電腦、電動工具以及輕型電動車等更大電量的應(yīng)用場景。當(dāng)前的手機(jī)快充技術(shù)存在不足——不能大功率長期工作。手機(jī)由于電池容量小,充電器僅需要滿足5分鐘滿載工作即可完成70%以上電量充電,此時充電器尚未到達(dá)熱平衡,溫度比較低,使用也沒有任何問題。但是對于大容量應(yīng)用,例如電動摩托車電量超過了2kWh,要求充電器必須以更大功率長期滿載工作。用于200W手機(jī)充電器的150mohm器件顯然無法滿足該功率等級要求。


鎵未來[敏感詞]發(fā)布的這款70mohm產(chǎn)品采用了Cascode結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)結(jié)合了硅器件的易用性和氮化鎵器件的高頻率高效率的特點(diǎn),可以實(shí)現(xiàn)千瓦級的高功率密度電源解決方案。



GaNext

產(chǎn)品特點(diǎn)




1)可靠的柵極,能承受±20V柵極電壓。高閾值電壓,無需負(fù)壓驅(qū)動。

2)高開關(guān)速度,低開關(guān)損耗。

3)與SiC或者E-mode GaN相比,具有更低Vsd壓降,死區(qū)損耗低。

4)極低的反向恢復(fù)電荷。

5)動態(tài)內(nèi)阻低。

6)能承受800V瞬態(tài)電壓應(yīng)力。


該70mohm產(chǎn)品有多種封裝方式,滿足不同拓?fù)洹惭b方式和散熱需求。



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其中G1N65R070PD及G1N65R070TL帶有開爾文源極Pin腳,引腳寄生電感相對于插件封裝大幅度減少,Vgs/Vds波形更加干凈,轉(zhuǎn)換效率和EMI明顯提升,特別適用于超高開關(guān)頻率的應(yīng)用場景。




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